Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - IGBT - moduly

APTGF165SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165SK60D1G

diel: 463

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 230A, Výkon - max: 730W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Na priania
APTGF180A60TG
Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

diel: 496

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 220A, Výkon - max: 833W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Na priania
APTGF165A60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

diel: 456

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 230A, Výkon - max: 781W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

Na priania
APTGF165DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

diel: 448

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 230A, Výkon - max: 730W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Na priania
APTGF15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

diel: 440

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 25A, Výkon - max: 140W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Na priania
APTGF15A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

diel: 442

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 25A, Výkon - max: 140W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Na priania
APTGF15H120T1G
Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

diel: 487

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 25A, Výkon - max: 140W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Na priania
APTGF150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

diel: 414

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 200A, Výkon - max: 961W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Na priania
APTGF150DH120G
Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

diel: 410

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Asymmetrical Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 200A, Výkon - max: 961W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Na priania
APTGF150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

diel: 435

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 200A, Výkon - max: 961W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Na priania
APTGF100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

diel: 453

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 135A, Výkon - max: 568W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

diel: 3069

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 200A, Výkon - max: 961W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Na priania
APTGF100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

diel: 453

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual, Common Source, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 135A, Výkon - max: 568W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGF100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

diel: 411

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 130A, Výkon - max: 735W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGF100A120TG
Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

diel: 435

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 135A, Výkon - max: 568W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Na priania
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

diel: 455

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 93A, Výkon - max: 378W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Na priania
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

diel: 418

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 93A, Výkon - max: 378W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Na priania
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

diel: 3465

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 347W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Na priania
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

diel: 3433

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 347W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Na priania
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

diel: 448

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 277W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Na priania
APT30GF60JU3
Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

diel: 465

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 58A, Výkon - max: 192W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Na priania
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

diel: 416

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 58A, Výkon - max: 192W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Na priania
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

diel: 481

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 120A, Výkon - max: 416W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Na priania
APT75GN120J
Microsemi Corporation

APT75GN120J

diel: 420

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 124A, Výkon - max: 379W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Na priania
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

diel: 401

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 124A, Výkon - max: 379W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Na priania
APT60GT60JR
Microsemi Corporation

APT60GT60JR

diel: 445

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 93A, Výkon - max: 378W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Na priania
APT50GP60J
Microsemi Corporation

APT50GP60J

diel: 2419

Typ IGBT: PT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100A, Výkon - max: 329W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Na priania
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

diel: 393

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 72A, Výkon - max: 379W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Na priania
APT40GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

diel: 2536

Typ IGBT: PT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 86A, Výkon - max: 284W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Na priania
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

diel: 469

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 77A, Výkon - max: 347W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Na priania
APT200GN60JG
Microsemi Corporation

APT200GN60JG

diel: 406

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 283A, Výkon - max: 682W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Na priania
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

diel: 1653

Typ IGBT: PT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 128A, Výkon - max: 543W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Na priania
APTGV50H60BT3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

diel: 1360

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurácia: Boost Chopper, Full Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 65A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Na priania
A2P75S12M3-F
STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

diel: 373

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Three Phase Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 454.5W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Na priania
A2P75S12M3
STMicroelectronics

A2P75S12M3

diel: 372

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Three Phase Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 454.5W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Na priania
A2C50S65M2
STMicroelectronics

A2C50S65M2

diel: 320

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Three Phase Inverter with Brake, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 650V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50A, Výkon - max: 208W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Na priania