Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - IGBT - moduly

APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

diel: 1378

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Dual Boost Chopper, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Na priania
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

diel: 1989

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 312W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Na priania
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

diel: 2465

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 45A, Výkon - max: 170W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Na priania
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

diel: 620

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 220A, Výkon - max: 690W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Na priania
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

diel: 595

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 150A, Výkon - max: 340W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

diel: 549

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Asymmetrical Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 150A, Výkon - max: 340W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

diel: 602

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 385W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Na priania
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

diel: 625

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 140A, Výkon - max: 480W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

diel: 542

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Dual Buck Chopper, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 280W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Na priania
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

diel: 1816

Typ IGBT: PT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 128A, Výkon - max: 543W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Na priania
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

diel: 541

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Asymmetrical Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 385W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

Na priania
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

diel: 556

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual Buck Chopper, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 70A, Výkon - max: 312W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

diel: 534

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Asymmetrical Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 280W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

diel: 607

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Asymmetrical Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 70A, Výkon - max: 312W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

diel: 579

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 40A, Výkon - max: 208W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Na priania
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

diel: 542

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 130A, Výkon - max: 780W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGF150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

diel: 560

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 230A, Výkon - max: 833W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Na priania
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

diel: 5334

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Boost Chopper, Full Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Na priania
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

diel: 574

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Na priania
APT70GR120J
Microsemi Corporation

APT70GR120J

diel: 2416

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 112A, Výkon - max: 543W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Na priania
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

diel: 2286

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 84A, Výkon - max: 417W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

Na priania
APT200GN60J
Microsemi Corporation

APT200GN60J

diel: 2197

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 283A, Výkon - max: 682W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Na priania
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

diel: 578

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual Boost Chopper, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 70A, Výkon - max: 312W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

diel: 3071

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual Boost Chopper, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 65A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

diel: 594

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Full Bridge Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 65A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

diel: 580

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 210A, Výkon - max: 1041W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Na priania
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

diel: 540

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 135A, Výkon - max: 568W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

diel: 546

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Dual Boost Chopper, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 70A, Výkon - max: 312W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

diel: 581

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Asymmetrical Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 416W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Na priania
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

diel: 600

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Half Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 210A, Výkon - max: 961W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Na priania
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

diel: 546

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Asymmetrical Bridge, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 65A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

diel: 585

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Three Level Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 65A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Na priania
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

diel: 3077

Typ IGBT: NPT, Konfigurácia: Three Level Inverter, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 42A, Výkon - max: 140W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Na priania
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

diel: 609

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Three Level Inverter - IGBT, FET, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50A, Výkon - max: 90W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Na priania
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

diel: 524

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Three Level Inverter - IGBT, FET, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 280W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Na priania
APT150GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

diel: 1322

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurácia: Single, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 1200V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 215A, Výkon - max: 625W, Vce (zapnuté) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Na priania