Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - Zenerove - jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diódy - Zenerove - jednoduché
MTZJT-7733C
Rohm Semiconductor

MTZJT-7733C

diel: 8192

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 65 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 25V,

Zoznam želaní
TDZTR30B
Rohm Semiconductor

TDZTR30B

diel: 8216

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 500mW, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 21V,

Zoznam želaní
MTZJT-773.9B
Rohm Semiconductor

MTZJT-773.9B

diel: 8162

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.9V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJT-774.3A
Rohm Semiconductor

MTZJT-774.3A

diel: 8181

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJT-7710C
Rohm Semiconductor

MTZJT-7710C

diel: 8130

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 7V,

Zoznam želaní
MTZJT-7716C
Rohm Semiconductor

MTZJT-7716C

diel: 8165

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 25 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 12V,

Zoznam želaní
MTZJT-779.1C
Rohm Semiconductor

MTZJT-779.1C

diel: 8200

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.1V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 6V,

Zoznam želaní
MTZJT-774.3B
Rohm Semiconductor

MTZJT-774.3B

diel: 8163

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJT-774.7B
Rohm Semiconductor

MTZJT-774.7B

diel: 8139

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1V,

Zoznam želaní
MTZJT-7713C
Rohm Semiconductor

MTZJT-7713C

diel: 8172

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 25 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 10V,

Zoznam želaní
MTZJT-7712B
Rohm Semiconductor

MTZJT-7712B

diel: 8112

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 25 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 9V,

Zoznam želaní
MTZJT-7736C
Rohm Semiconductor

MTZJT-7736C

diel: 3845

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 75 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 27V,

Zoznam želaní
MTZJT-775.1B
Rohm Semiconductor

MTZJT-775.1B

diel: 8137

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 5.1V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 70 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1.5V,

Zoznam želaní
MTZJT-7727B
Rohm Semiconductor

MTZJT-7727B

diel: 8153

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 27V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 21V,

Zoznam želaní
MTZJT-7730B
Rohm Semiconductor

MTZJT-7730B

diel: 3882

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 23V,

Zoznam želaní
MTZJT-7722B
Rohm Semiconductor

MTZJT-7722B

diel: 8134

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 17V,

Zoznam želaní
MTZJT-776.8C
Rohm Semiconductor

MTZJT-776.8C

diel: 8172

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 3.5V,

Zoznam želaní
MTZJT-778.2B
Rohm Semiconductor

MTZJT-778.2B

diel: 8170

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.2V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 5V,

Zoznam želaní
PTZTE253.6B
Rohm Semiconductor

PTZTE253.6B

diel: 164219

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.8V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 60µA @ 1V,

Zoznam želaní
PTZTE2512B
Rohm Semiconductor

PTZTE2512B

diel: 128490

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12.5V, Tolerancia: ±6%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 8 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 9V,

Zoznam želaní
PTZTE256.8A
Rohm Semiconductor

PTZTE256.8A

diel: 136250

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Tolerancia: ±6%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 6 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 20µA @ 3.5V,

Zoznam želaní
PTZTE253.9B
Rohm Semiconductor

PTZTE253.9B

diel: 158582

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.1V, Tolerancia: ±6%, Výkon - max: 1W, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 40µA @ 1V,

Zoznam želaní
UDZVTE-1711B
Rohm Semiconductor

UDZVTE-1711B

diel: 136408

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8V,

Zoznam želaní
TFZTR4.7B
Rohm Semiconductor

TFZTR4.7B

diel: 140549

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Výkon - max: 500mW,

Zoznam želaní
TDZVTR24
Rohm Semiconductor

TDZVTR24

diel: 9937

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 24V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 500mW, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 17V,

Zoznam želaní
TFZGTR6.2B
Rohm Semiconductor

TFZGTR6.2B

diel: 190530

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 3V,

Zoznam želaní
TDZTR30
Rohm Semiconductor

TDZTR30

diel: 148744

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±10%, Výkon - max: 500mW, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 21V,

Zoznam želaní
YDZVFHTR9.1
Rohm Semiconductor

YDZVFHTR9.1

diel: 9916

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 9.1V, Tolerancia: ±9.89%, Výkon - max: 500mW, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 5.5V,

Zoznam želaní
KDZVTR13B
Rohm Semiconductor

KDZVTR13B

diel: 183204

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Výkon - max: 1W, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 10V,

Zoznam želaní
RLZTE-1127A
Rohm Semiconductor

RLZTE-1127A

diel: 7662

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 25.6V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 200nA @ 21V,

Zoznam želaní
KDZVTR30B
Rohm Semiconductor

KDZVTR30B

diel: 134791

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Výkon - max: 1W, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 23V,

Zoznam želaní
UDZVTE-1720B
Rohm Semiconductor

UDZVTE-1720B

diel: 125363

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 15V,

Zoznam želaní
TFZVTR6.8B
Rohm Semiconductor

TFZVTR6.8B

diel: 104593

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.8V, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 8 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 3.5V,

Zoznam želaní
UDZSTE-1722B
Rohm Semiconductor

UDZSTE-1722B

diel: 139239

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 17V,

Zoznam želaní
UDZSTE-173.3B
Rohm Semiconductor

UDZSTE-173.3B

diel: 192129

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.3V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 200mW, Impedancia (max.) (Zzt): 120 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 20µA @ 1V,

Zoznam želaní
EDZTE6133B
Rohm Semiconductor

EDZTE6133B

diel: 150278

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±3%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 250 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 25V,

Zoznam želaní