Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

R6015FNX

R6015FNX

diel: 11226

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 7.5A, 10V,

Zoznam želaní
RCX510N25

RCX510N25

diel: 15729

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 51A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V,

Zoznam želaní
R6004KNJTL

R6004KNJTL

diel: 75363

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Zoznam želaní
SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

diel: 15479

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 18V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 975 mOhm @ 1.7A, 18V,

Zoznam želaní
SCT3060ALGC11

SCT3060ALGC11

diel: 7128

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 39A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 18V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 18V,

Zoznam želaní
SCH2080KEC

SCH2080KEC

diel: 2547

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 18V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

Zoznam želaní
RRH050P03GZETB

RRH050P03GZETB

diel: 6288

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní
SCT3040KLGC11

SCT3040KLGC11

diel: 2854

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 55A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 18V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 20A, 18V,

Zoznam želaní
RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

diel: 135899

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

Zoznam želaní
RP1E090RPTR

RP1E090RPTR

diel: 2073

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 9A, 10V,

Zoznam želaní
RCD080N25TL

RCD080N25TL

diel: 99109

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4A, 10V,

Zoznam želaní
SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

diel: 18112

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 18V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

Zoznam želaní
SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11

diel: 3030

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 18V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 27A, 18V,

Zoznam želaní
R6004ENDTL

R6004ENDTL

diel: 156482

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Zoznam želaní
RAQ045P01TCR

RAQ045P01TCR

diel: 1902

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Zoznam želaní
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

diel: 196672

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
RSS065N06FRATB

RSS065N06FRATB

diel: 10801

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

Zoznam želaní
RMW130N03TB

RMW130N03TB

diel: 190282

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 13A, 10V,

Zoznam želaní
RMW200N03TB

RMW200N03TB

diel: 116058

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
RP1E090XNTCR

RP1E090XNTCR

diel: 1429

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

Zoznam želaní
RP1E070XNTCR

RP1E070XNTCR

diel: 1473

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Zoznam želaní
RP1E100XNTR

RP1E100XNTR

diel: 6211

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
RP1E075RPTR

RP1E075RPTR

diel: 1446

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Zoznam želaní
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

diel: 122522

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Zoznam želaní
RSH065N03TB1

RSH065N03TB1

diel: 197099

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.5A, 10V,

Zoznam želaní
RSD220N06TL

RSD220N06TL

diel: 102535

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 22A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V,

Zoznam želaní
RP1L080SNTR

RP1L080SNTR

diel: 1473

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

diel: 183103

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V,

Zoznam želaní
RND030N20TL

RND030N20TL

diel: 172245

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 870 mOhm @ 1.5A, 10V,

Zoznam želaní
R6006ANDTL

R6006ANDTL

diel: 68225

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Zoznam želaní
RP1H065SPTR

RP1H065SPTR

diel: 1481

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 45V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6.5A, 10V,

Zoznam želaní
R6004CNDTL

R6004CNDTL

diel: 76158

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

Zoznam želaní
RRH100P03GZETB

RRH100P03GZETB

diel: 101180

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
RD3L080SNTL1

RD3L080SNTL1

diel: 10823

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

diel: 189450

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 28A, 10V,

Zoznam želaní
SCT2160KEC

SCT2160KEC

diel: 7564

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 22A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 18V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 208 mOhm @ 7A, 18V,

Zoznam želaní