Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

5HN01C-TB-EX

diel: 2210

5HP01M-TL-H

diel: 110639

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

diel: 114622

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

diel: 1973

5HP01SS-TL-E

diel: 142336

5HP01SS-TL-H

diel: 108914

5HP01C-TB-H

diel: 157648

5HP01M-TL-E

diel: 1963

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

diel: 1979

5HP01C-TB-E

diel: 6246

5HN01SS-TL-H

diel: 146833

5HN01SS-TL-E

diel: 154338

5HN01M-TL-E

diel: 1932

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

diel: 102036

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01C-TB-H

diel: 147399

5HN01C-TB-E

diel: 176441

5LN01SP-AC

diel: 6260

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

diel: 128226

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

diel: 1826

5LP01SP

diel: 1894

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

diel: 6268

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

diel: 1839

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

diel: 1842

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

diel: 6223

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

diel: 1441

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

diel: 1507

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

diel: 174960

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

diel: 128915

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

diel: 1448

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

diel: 6222

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

diel: 1469

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

diel: 109264

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

diel: 185339

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

diel: 646

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,

5LP01SP-AC

diel: 9476

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

diel: 133677

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 370mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,