Diódy - mostové usmerňovače | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

KMB210STR

diel: 114

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Schottky, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 50µA @ 100V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS202G C1G

diel: 111

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 100V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS103G RDG

diel: 124

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 200V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P07G C2G

diel: 76

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 20A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1000V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

SBS26 REG

diel: 86

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 700mV @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 50µA @ 60V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS156G RDG

diel: 119

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 800V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

DBL157GHC1G

diel: 134

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 1000V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS209GHC1G

diel: 121

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.4kV, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 1400V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1002 D2G

diel: 94

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 10A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 100V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P07G D2G

diel: 157

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 17.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1000V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

DBL208GHC1G

diel: 101

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.2kV, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 1200V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU402HD2G

diel: 126

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 4A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 100V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB10HD2G

diel: 91

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 100V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS159G C1G

diel: 129

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.4kV, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 1.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 1400V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC35005 T0G

diel: 120

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 17.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 50V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

RDBLS207GHRDG

diel: 166

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 1000V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1001HD2G

diel: 106

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 10A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 50V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

GBL203HD2G

diel: 119

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 200V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P05GHD2G

diel: 88

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 17.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 600V,

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

DBL156GHC1G

diel: 152

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 800V,

Na priania

Comchip Technology

KBPC5006W-G

diel: 32499

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 25A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 600V,

Na priania

Comchip Technology

GBU1504-G

diel: 52570

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 7.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 400V,

Na priania

Comchip Technology

Z4DGP410L-HF

diel: 134138

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 4A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 4A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1000V,

Na priania

Comchip Technology

DF202S-G

diel: 163685

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 200V,

Na priania

Comchip Technology

Z4GP208-HF

diel: 189437

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 800V,

Na priania

Comchip Technology

GBPC25005W-G

diel: 35799

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 50V,

Na priania

Comchip Technology

GBJ2501-04-G

diel: 144

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 4.2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 100V,

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-E3/51

diel: 145864

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 4A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 800V,

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA10-E3/45

diel: 156324

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 4A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1000V,

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2540N-M3/45

diel: 46429

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 400V,

Na priania

Sensata-Crydom

M5060SB1200

diel: 1384

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.2kV, Current - Average Rectified (Io): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.35V @ 50A,

Na priania

Central Semiconductor Corp

CBR2-L010M

diel: 135685

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 100V,

Na priania

Diodes Incorporated

RABF1510-13

diel: 133

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1000V,

Na priania

Diodes Incorporated

GBJ2502-F

diel: 37594

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.05V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 200V,

Na priania

IXYS

VUO110-12NO7

diel: 1412

Typ diódy: Three Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.2kV, Current - Average Rectified (Io): 127A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.13V @ 50A, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1200V,

Na priania

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D1E

diel: 2062

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Silicon Carbide Schottky, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 10A, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 600V,

Na priania