Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Diódy - mostové usmerňovače

GBJ15005-F
Diodes Incorporated

GBJ15005-F

diel: 29356

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.05V @ 7.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 50V,

Na priania
GBU1010
Diodes Incorporated

GBU1010

diel: 41166

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1000V,

Na priania
HDS10M-13
Diodes Incorporated

HDS10M-13

diel: 77

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 500mA, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1000V,

Na priania
HDS20M-13
Diodes Incorporated

HDS20M-13

diel: 68

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 1A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1000V,

Na priania
TS8P03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P03GHC2G

diel: 146

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 8A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 200V,

Na priania
GBPC2502W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2502W T0G

diel: 146

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 200V,

Na priania
RABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation

RABS15MHREG

diel: 173

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 1000V,

Na priania
GBPC3510M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3510M T0G

diel: 77

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 17.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 1000V,

Na priania
DBLS206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS206G C1G

diel: 163

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 800V,

Na priania
GBPC4006M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4006M T0G

diel: 94

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 20A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 600V,

Na priania
DBLS208GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS208GHC1G

diel: 153

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.2kV, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 1200V,

Na priania
TS6P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P07G C2G

diel: 76

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 6A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1000V,

Na priania
GBPC5004M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5004M T0G

diel: 148

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 25A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 400V,

Na priania
GBPC4008M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4008M T0G

diel: 96

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 20A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 800V,

Na priania
GBPC50005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC50005M T0G

diel: 86

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 25A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 50V,

Na priania
TS25PL05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25PL05G D2G

diel: 164

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 920mV @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 600V,

Na priania
HDBLS101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS101G C1G

diel: 101

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 50V,

Na priania
GBPC1504W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1504W T0G

diel: 79

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 7.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 400V,

Na priania
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation

RMB4S RCG

diel: 138

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 400mA, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 400V,

Na priania
GBU603 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU603 D2G

diel: 90

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 6A, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 200V,

Na priania
GBPC4010M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4010M T0G

diel: 159

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1kV, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 20A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1000V,

Na priania
CBR1-L080M
Central Semiconductor Corp

CBR1-L080M

diel: 130257

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 800V,

Na priania
GBJ2506-03-G
Comchip Technology

GBJ2506-03-G

diel: 101

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 600V,

Na priania
KBPC2501W-G
Comchip Technology

KBPC2501W-G

diel: 41095

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 100V,

Na priania
MP1008G-G
Comchip Technology

MP1008G-G

diel: 61751

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 800V,

Na priania
GBU806-G
Comchip Technology

GBU806-G

diel: 72167

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 4A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 600V,

Na priania
GBJ2501-G
Comchip Technology

GBJ2501-G

diel: 40899

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 4.2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 100V,

Na priania
KBPC2502W-G
Comchip Technology

KBPC2502W-G

diel: 41130

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 200V,

Na priania
DF2005S-G
Comchip Technology

DF2005S-G

diel: 163757

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 2A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 50V,

Na priania
KBPC25005-G
Comchip Technology

KBPC25005-G

diel: 37024

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 12.5A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 50V,

Na priania
VBO20-16AO2
IXYS

VBO20-16AO2

diel: 2413

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Avalanche, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.6kV, Current - Average Rectified (Io): 31A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 55A, Prúd - spätný únik @ Vr: 300µA @ 1600V,

Na priania
GSIB620N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB620N-M3/45

diel: 64923

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 3A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 200V,

Na priania
GSIB6A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A40N-M3/45

diel: 72874

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 3A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 400V,

Na priania
G2SB60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-M3/45

diel: 142421

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 750mA, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 200V,

Na priania
VS-2KBB10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB10

diel: 39441

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1.9A, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 100V,

Na priania
G2SB60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-M3/51

diel: 132931

Typ diódy: Single Phase, Technológie: Standard, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 750mA, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 200V,

Na priania