Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduch&e | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

diel: 6992

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

diel: 6990

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

diel: 7022

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

diel: 7021

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

diel: 6703

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

diel: 6975

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

diel: 7020

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

diel: 7022

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

diel: 6954

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

diel: 6948

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

diel: 6990

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

diel: 6947

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

diel: 7035

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

diel: 7005

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

diel: 6999

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

diel: 7004

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 80V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

diel: 6754

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 400mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 80V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

diel: 6942

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

diel: 6995

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

diel: 7000

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

diel: 6996

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 4A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 2µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

diel: 6949

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

diel: 6958

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

diel: 6947

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

diel: 6980

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 60V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

diel: 7012

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

diel: 6968

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

diel: 7012

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

diel: 6956

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

diel: 6980

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

diel: 6968

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

diel: 7009

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

diel: 6956

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

diel: 6969

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 150V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

diel: 7016

Typ tranzistora: PNP, Prúd - zberač (Ic) (max.): 800mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Na priania

ON Semiconductor

2SC6017-E

diel: 111005

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 10A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Na priania