Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduch&e | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

2SD2257,KEHINQ(J

diel: 6789

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

diel: 6792

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

diel: 6778

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

diel: 6989

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 120V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

diel: 7064

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

diel: 7008

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

diel: 7045

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

diel: 7037

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 2A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 10µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

diel: 7039

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

diel: 7003

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 3A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 100V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

diel: 7001

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 375V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

diel: 6717

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1.5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 160V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100nA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

diel: 7021

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 800V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

diel: 7019

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 375V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

diel: 6714

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

diel: 7015

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 800V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

diel: 6994

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

diel: 6971

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 1A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 100µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

diel: 6716

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

diel: 7019

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

diel: 6724

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

diel: 6968

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

diel: 7006

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 5A, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 400V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 20µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Na priania

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

diel: 7026

Typ tranzistora: NPN, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 600V, Vce sýtosť (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Prúd - obmedzenie zberača (max.): 1µA (ICBO), DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Na priania