Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

BSZ018NE2LSIATMA1

diel: 16507

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 22A (Ta), 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC882N03LSGATMA1

diel: 146645

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 34V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ075N08NS5ATMA1

diel: 125045

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSB013NE2LXIXUMA1

diel: 16579

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 36A (Ta), 163A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC024NE2LSATMA1

diel: 16599

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 25A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC025N03MSGATMA1

diel: 143497

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Ta). 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC120N03LSGATMA1

diel: 105622

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 39A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC034N03LSGATMA1

diel: 197142

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC017N04NSGATMA1

diel: 16503

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSB028N06NN3GXUMA1

diel: 16573

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 22A (Ta), 90A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC030N03LSGATMA1

diel: 181445

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ100N03MSGATMA1

diel: 155577

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSP320SH6327XTSA1

diel: 127092

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2.9A (Tj), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC060N10NS3GATMA1

diel: 71214

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.9A (Ta), 90A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ73L

diel: 92

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ73AL

diel: 95

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ73AE3046XK

diel: 152

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ73A

diel: 97

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ32H3045AATMA1

diel: 142

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ73E3046XK

diel: 174

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ32 E3045A

diel: 168

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ32

diel: 94

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ31L E3044A

diel: 164

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ31L

diel: 176

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ31 E3046

diel: 128

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ31 E3045A

diel: 125

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ31

diel: 160

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Na priania

Infineon Technologies

BUZ30A E3045A

diel: 182

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 21A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BTS282ZAKSA1

diel: 135

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 49V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BTS282Z E3230

diel: 97

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 49V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK7225-55A,118

diel: 173353

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 43A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BSP225,115

diel: 187249

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 225mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BSP122,115

diel: 169877

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 550mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK7230-55A,118

diel: 119400

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 38A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK7E3R5-60E,127

diel: 28660

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK6210-55C,118

diel: 158074

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 78A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V,

Na priania