Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

BSO052N03S

diel: 243

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 17A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSL307SPL6327HTSA1

diel: 265

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSL211SPL6327HTSA1

diel: 221

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC119N03S G

diel: 6064

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11.9A (Ta), 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC059N03S G

diel: 283

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17.5A (Ta), 73A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC048N025S G

diel: 288

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 19A (Ta), 89A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC020N025S G

diel: 280

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC029N025S G

diel: 248

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSA223SP

diel: 245

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 390mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC0906NSATMA1

diel: 186905

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Ta), 63A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ068N06NSATMA1

diel: 182964

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC090N03LSGATMA1

diel: 170812

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13A (Ta), 48A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC014N04LSTATMA1

diel: 16515

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ086P03NS3EGATMA1

diel: 16570

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC014N04LSIATMA1

diel: 61407

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC160N15NS5ATMA1

diel: 72783

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 56A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 8V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC026NE2LS5ATMA1

diel: 154580

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24A (Ta), 82A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC0901NSATMA1

diel: 16599

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ088N03LSGATMA1

diel: 162357

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ0589NSATMA1

diel: 152540

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 8A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC020N03MSGATMA1

diel: 118300

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 25A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC036NE7NS3GATMA1

diel: 50526

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC010N04LSTATMA1

diel: 16526

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 39A (Ta), 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC097N06NSATMA1

diel: 179136

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 46A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 40A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC900N20NS3GATMA1

diel: 16593

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15.2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.6A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ165N04NSGATMA1

diel: 16510

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.9A (Ta), 31A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSC130P03LSGAUMA1

diel: 16579

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), 22.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 22.5A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ0909NSATMA1

diel: 159981

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 34V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Ta), 36A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSZ088N03MSGATMA1

diel: 143671

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

BSB014N04LX3GXUMA1

diel: 16560

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 36A (Ta), 180A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK7E1R9-40E,127

diel: 25787

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK7E8R3-40E,127

diel: 55104

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK7E1R8-40E,127

diel: 21976

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK7208-40B,118

diel: 153718

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BSP250,115

diel: 189273

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V,

Na priania

Nexperia USA Inc.

BUK626R2-40C,118

diel: 158024

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 90A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 10V,

Na priania