Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

AOD403_DELTA

diel: 2127

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD4102L

diel: 2167

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), 19A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 12A, 10V,

AOD403_030

diel: 2111

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD206_030

diel: 2125

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Ta), 46A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 4.5V,

AO6411

diel: 2171

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V,

AO7403_001

diel: 2111

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 700mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 700mA, 4.5V,

AO5404E_001

diel: 2169

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 500mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO5404EL

diel: 2148

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 500mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO4771L

diel: 2144

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V,

AO4710L_101

diel: 6241

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12.7A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 12.7A, 10V,

AO4488L_101

diel: 2124

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

AO4498EL

diel: 2189

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

AO4485_102

diel: 2105

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

AO4404BL_101

diel: 2103

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.5A, 10V,

AO4437L

diel: 2175

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 4.5V,

AO4202_120

diel: 2149

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 19A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 19A, 10V,

AOY516

diel: 6234

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 46A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6516_151

diel: 6224

Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V,

AON7548

diel: 6244

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

AOD526

diel: 2176

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOI452A

diel: 2100

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 55A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

AOD516_051

diel: 6275

Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V,

AOD518_051

diel: 2140

Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V,

AOB20C60

diel: 6275

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AOD4160

diel: 2097

AOB11C60

diel: 2095

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

AO4304_001

diel: 6227

Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V,

AO4264

diel: 2161

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

AUXMOS20956STR

diel: 2131

AUXS20956S

diel: 2187

APT80SM120S

diel: 2172

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120J

diel: 2121

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 51A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120B

diel: 2112

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT70SM70J

diel: 6264

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 49A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT70SM70S

diel: 2124

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 65A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 20V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT25SM120S

diel: 2166

Typ FET: N-Channel, Technológie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 25A (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,