Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

AOD4T60

diel: 2185

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1A, 10V,

AOW410

diel: 2171

AOT474_001

diel: 2179

AOT462_002

diel: 2203

AOT440L_001

diel: 2229

AOT440L

diel: 2227

AOT416_002

diel: 2187

AOT416L_001

diel: 2209

AON7452L

diel: 2143

AON7448L

diel: 2237

AON6504_001

diel: 2158

AON7444L

diel: 2198

AON6450L_001

diel: 2168

AON6454A_001

diel: 2211

AON6444L

diel: 2174

AON6450L

diel: 2149

AON6400L

diel: 2173

AON6270_001

diel: 2186

APT4012BVR

diel: 2171

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 37A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V,

APT10M11JVR

diel: 2201

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 144A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V,

APT58MJ50J

diel: 2236

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 58A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

APT10M07JVR

diel: 2161

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 225A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V,

APT8075BN

diel: 2223

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 13A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 6.5A, 10V,

APT6040BNG

diel: 2165

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 9A, 10V,

APT6040BN

diel: 2226

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 9A, 10V,

APT5025BN

diel: 6264

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 11.5A, 10V,

APT6030BN

diel: 2196

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 11.5A, 10V,

APT5022BNG

diel: 2234

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 27A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 13.5A, 10V,

APT5020BNFR

diel: 2155

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

APT5012JN

diel: 2168

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 43A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 21.5A, 10V,

APT5020BN

diel: 2225

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

APT40M42JN

diel: 2165

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 86A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V,

APT40M75JN

diel: 2167

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 56A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V,

APT4065BNG

diel: 2197

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

APT1002RBNG

diel: 6299

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

APT1001RBN

diel: 2149

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5.5A, 10V,