Typ | Popis |
Stav časti | Active |
---|---|
Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
Funkcia FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 4.2A |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.6nC @ 10V |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 1022pF @ 15V |
Výkon - max | 1.8W |
Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balenie / puzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Balík zariadení dodávateľa | 8-SOP |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |