Typ | Popis |
Stav časti | Active |
---|---|
Typ FET | N-Channel |
Technológie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 93A (Tc) |
Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 18V |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (max.) | +22V, -4V |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 2208pF @ 500V |
Funkcia FET | - |
Strata výkonu (max.) | 339W (Tc) |
Prevádzková teplota | 175°C (TJ) |
Typ montáže | Through Hole |
Balík zariadení dodávateľa | TO-247N |
Balenie / puzdro | TO-247-3 |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |