Typ | Popis |
Stav časti | Active |
---|---|
Typ FET | N-Channel |
Technológie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | ±10V |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 110pF @ 10V |
Funkcia FET | Schottky Diode (Isolated) |
Strata výkonu (max.) | 900mW (Ta) |
Prevádzková teplota | 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balík zariadení dodávateľa | TSMT5 |
Balenie / puzdro | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |