Typ | Popis |
Stav časti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | N-Channel |
Technológie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 11.6A (Tc) |
Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 10V |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 1965pF @ 25V |
Funkcia FET | - |
Strata výkonu (max.) | 8.9W (Tc) |
Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balík zariadení dodávateľa | 8-SO |
Balenie / puzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |