Typ | Popis |
Stav časti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technológie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | -8V |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Funkcia FET | - |
Strata výkonu (max.) | 1.8W (Ta) |
Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balík zariadení dodávateľa | SuperSOT™-8 |
Balenie / puzdro | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |