Typ | Popis |
Stav časti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technológie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 13A (Tc) |
Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 10V |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 860pF @ 25V |
Funkcia FET | - |
Strata výkonu (max.) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
Prevádzková teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže | Through Hole |
Balík zariadení dodávateľa | TO-262 |
Balenie / puzdro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |