Typ | Popis |
Stav časti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | - |
Technológie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 160A (Tc) |
Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | - |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (max.) | - |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 14400pF @ 800V |
Funkcia FET | - |
Strata výkonu (max.) | 535W (Tc) |
Prevádzková teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže | Chassis Mount |
Balík zariadení dodávateľa | SOT-227 |
Balenie / puzdro | SOT-227-4, miniBLOC |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |