| Typ | Popis |
| Stav časti | Obsolete |
|---|---|
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funkcia FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 25A |
| Rds On (max.) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
| Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 2000pF @ 800V |
| Výkon - max | 20mW |
| Prevádzková teplota | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Chassis Mount |
| Balenie / puzdro | Module |
| Balík zariadení dodávateľa | Module |
| Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
|---|---|
| Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
| Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
| Kategória | K dispozícii |
