| Typ | Popis |
| Stav časti | Obsolete |
|---|---|
| Typ FET | N-Channel |
| Technológie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 50A (Tj) |
| Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds) | 20V |
| Rds On (max.) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (max.) | +25V, -5V |
| Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Funkcia FET | - |
| Strata výkonu (max.) | 313mW (Tj) |
| Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balík zariadení dodávateľa | Die |
| Balenie / puzdro | Die |
| Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
|---|---|
| Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
| Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
| Kategória | K dispozícii |
