| Typ | Popis |
| Stav časti | Active |
|---|---|
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Funkcia FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 337A (Tc) |
| Rds On (max.) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Výkon - max | 2140W |
| Prevádzková teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Chassis Mount |
| Balenie / puzdro | Module |
| Balík zariadení dodávateľa | Module |
| Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
|---|---|
| Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
| Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
| Kategória | K dispozícii |
