| Typ | Popis |
| Stav časti | Active |
|---|---|
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funkcia FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | 19A, 31A |
| Rds On (max.) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 820pF @ 15V |
| Výkon - max | 3.1W |
| Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balenie / puzdro | 8-PowerWDFN |
| Balík zariadení dodávateľa | 8-DFN-EP (5x6) |
| Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
|---|---|
| Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
| Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
| Kategória | K dispozícii |
