Typ | Popis |
Stav časti | Active |
---|---|
Typ FET | N and P-Channel |
Funkcia FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C | - |
Rds On (max.) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 2300pF @ 30V |
Výkon - max | 2W |
Prevádzková teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balenie / puzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Balík zariadení dodávateľa | 8-SOIC |
Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
---|---|
Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
Kategória | K dispozícii |