| Typ | Popis |
| Stav časti | Obsolete |
|---|---|
| Typ diódy | Silicon Carbide Schottky |
| Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak | 1.6V @ 2.5A |
| Rýchlosť | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Čas spätného zotavenia (trr) | 0ns |
| Prúd - spätný únik @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Kapacita @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balenie / puzdro | TO-257-3 |
| Balík zariadení dodávateľa | TO-257 |
| Prevádzková teplota - križovatka | -55°C ~ 250°C |
| Stav RoHS | ROHS kompatibilný |
|---|---|
| Hladina citlivosti vlhkosti (MSL) | Nepoužiteľné |
| Stav životného cyklu | Zastaraný / koniec života |
| Kategória | K dispozícii |
