Snímacia vzdialenosť: 0.315" (8mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 30V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.472" (12mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 30V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.394" (10mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 30V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.472" (12mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 30V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.197" (5mm), Metóda snímania: Reflective, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 100mA, Typ výstupu: Photodiode,
Snímacia vzdialenosť: 0.197" (5mm), Metóda snímania: Reflective, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 100mA, Typ výstupu: Photodiode,
