Snímacia vzdialenosť: 0.157" (4mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 32V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.02" (0.5mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 100mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.591" (15mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 70V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.197" (5mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 32V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.157" (4mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 32V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.591" (15mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 70V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,