Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkcia FET: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70A (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
