Diódy - Usmerňovače - Jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

SF25G B0G

diel: 149

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML R3G

diel: 184

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.8µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SF1001G C0G

diel: 194

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 975mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S10GCHR7G

diel: 187

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SR206HA0G

diel: 168

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 700mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LD R3G

diel: 169

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S3GHR7G

diel: 136

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.15V @ 3A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.5µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

HER156G B0G

diel: 125

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 75ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS26L R3G

diel: 152

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 700mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2D R5G

diel: 160

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

FR303G A0G

diel: 151

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

FR156GHA0G

diel: 188

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 500ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SR202 B0G

diel: 168

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS24L R3G

diel: 138

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 500mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BL RVG

diel: 181

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

LL4002G L0

diel: 148

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SR203HA0G

diel: 141

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SR210HA0G

diel: 130

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LHR3G

diel: 157

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L20 B0G

diel: 103

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 890mV @ 4A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 25ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60HS4G

diel: 148

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 630mV @ 25A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SR303HA0G

diel: 153

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS110LHR3G

diel: 109

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 800mV @ 1A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SS210LHR3G

diel: 160

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

FR302G B0G

diel: 161

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SR302HB0G

diel: 133

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

FR201G A0G

diel: 134

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

FR157GHA0G

diel: 132

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 500ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

FR203G B0G

diel: 134

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

S1MLHRUG

diel: 111

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 1A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 1.8µs,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

SR202HB0G

diel: 112

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 550mV @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GL RUG

diel: 163

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 800mA, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 150ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2J M4G

diel: 163

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 2A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 250ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

FR157GHB0G

diel: 138

Typ diódy: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 1.5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 500ns,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA5U60 M2G

diel: 104

Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 560mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DHM6G

diel: 112

Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Čas spätného zotavenia (trr): 35ns,

Zoznam želaní