Diódy - Zenerove - jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 90

BZX55C10 A0G

diel: 151

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 15 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 7.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C56 A0G

diel: 118

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 56V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 135 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 42V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B47 L0G

diel: 172

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 47V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 110 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 35V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B2V4 L0G

diel: 160

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.4V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 50µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B18 RKG

diel: 126

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 12.6V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C3V3 L0G

diel: 143

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 2µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C4V3 A0G

diel: 147

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1.3W, Impedancia (max.) (Zzt): 13 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B4V7 RKG

diel: 149

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B51 A0G

diel: 170

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 51V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 125 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 38V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B68 A0G

diel: 145

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 68V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 160 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 51V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C22 A0G

diel: 186

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 17V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C6V2 A0G

diel: 200

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 6.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 10 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 4V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.5V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C4V7 A0G

diel: 172

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1.3W, Impedancia (max.) (Zzt): 13 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 3µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B13 A0G

diel: 164

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 26 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 10V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B75 L0G

diel: 136

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 75V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 170 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 56V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B68 L0G

diel: 125

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 68V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 160 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 51V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B15 RKG

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 10.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C30 A0G

diel: 175

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 50nA @ 21V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.5V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B12 RKG

diel: 113

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 12V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 150mW, Impedancia (max.) (Zzt): 25 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 900mV @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C2V7 L0G

diel: 111

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 10µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C10 A0G

diel: 170

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 10V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1.3W, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 7.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B3V0 L0G

diel: 190

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 3V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 85 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 4µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B47 A0G

diel: 186

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 47V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 110 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 35V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B43 A0G

diel: 180

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 43V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 90 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 32V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C11 L0G

diel: 117

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B4V3 L0G

diel: 187

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 75 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C36 A0G

diel: 168

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 27V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C33 L0G

diel: 143

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 24V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C4V3 L0G

diel: 168

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 4.3V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 75 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C2V7 A0G

diel: 147

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 2.7V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 75µA @ 1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.5V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B22 A0G

diel: 142

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 22V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 55 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 17V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C8V2 A0G

diel: 111

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 8.2V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1.3W, Impedancia (max.) (Zzt): 5 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 6.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.2V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B11 A0G

diel: 107

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 11V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 20 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 8.2V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C33 A0G

diel: 163

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 80 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 50nA @ 23.1V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.5V @ 100mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B16 L0G

diel: 116

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 16V, Tolerancia: ±2%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 40 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 100nA @ 12V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 10mA,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C15 A0G

diel: 129

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 15V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 500mW, Impedancia (max.) (Zzt): 30 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 50nA @ 10.5V, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.5V @ 100mA,

Zoznam želaní