Diódy - Zenerove - jednoduché | Diskrétne polovodičové výrobk | 90

1SMA5946HM2G

diel: 133

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 75V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1.5W, Impedancia (max.) (Zzt): 140 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 500nA @ 56V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4737HR3G

diel: 219

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1.25W, Impedancia (max.) (Zzt): 4 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 5V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4737 M2G

diel: 155

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 7.5V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 1.25W, Impedancia (max.) (Zzt): 4 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 5µA @ 5V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5928 R5G

diel: 218

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 9.9V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5941HR5G

diel: 222

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 47V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 67 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 35.8V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5943HR5G

diel: 219

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 56V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 86 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 42.6V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5953HR5G

diel: 161

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 150V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 600 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 114V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5938 R5G

diel: 225

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 38 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 27.4V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5947 R5G

diel: 211

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 82V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 160 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 62.2V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5932HR5G

diel: 205

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 20V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 14 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 15.2V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5928HR5G

diel: 162

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 13V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 7 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 9.9V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5949HR5G

diel: 152

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 100V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 250 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 76V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5936 R5G

diel: 131

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 26 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 22.8V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5955HR5G

diel: 159

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 180V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 900 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 136.8V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5954HR5G

diel: 171

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 160V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 700 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 121.6V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5937HR5G

diel: 146

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 33V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 33 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 25.1V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5946HR5G

diel: 185

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 75V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 140 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 56V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5931 R5G

diel: 179

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 12 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 13.7V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5953 R5G

diel: 160

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 150V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 600 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 114V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5950HR5G

diel: 226

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 110V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 300 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 83.6V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5943 R5G

diel: 142

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 56V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 86 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 42.6V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5955 R5G

diel: 147

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 180V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 900 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 136.8V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5954 R5G

diel: 161

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 160V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 700 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 121.6V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5952HR5G

diel: 223

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 130V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 450 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 98.8V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5944HR5G

diel: 177

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 62V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 47.1V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5948HR5G

diel: 143

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 91V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 200 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 69.2V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5947HR5G

diel: 153

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 82V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 160 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 62.2V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5936HR5G

diel: 177

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 30V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 26 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 22.8V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5939HR5G

diel: 203

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 39V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 45 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 29.7V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5948 R5G

diel: 145

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 91V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 200 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 69.2V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5950 R5G

diel: 132

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 110V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 300 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 83.6V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5931HR5G

diel: 163

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 18V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 12 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 13.7V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5938HR5G

diel: 164

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 36V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 38 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 27.4V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5945HR5G

diel: 147

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 68V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 120 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 51.7V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5944 R5G

diel: 132

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 62V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 100 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 47.1V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5952 R5G

diel: 199

Napätie - Zenerovo (men.) (Vz): 130V, Tolerancia: ±5%, Výkon - max: 3W, Impedancia (max.) (Zzt): 450 Ohms, Prúd - spätný únik @ Vr: 1µA @ 98.8V,

Zoznam želaní