Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1N80CW RPG

diel: 130

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 300mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 21.6 Ohm @ 150mA, 10V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4806CS RLG

diel: 220

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 28A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 4.5V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NC50CP ROG

diel: 241

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.7A, 10V,

Zoznam želaní

TSM160P04LCRHRLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160P04LCRHRLG

diel: 272

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 51A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

TSM10NC60CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM10NC60CF C0G

diel: 246

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.5A, 10V,

Zoznam želaní

TSM500P02CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM500P02CX RFG

diel: 214

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3A, 4.5V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM126CX RFG

diel: 281

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 0V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 800 Ohm @ 16mA, 10V,

Zoznam želaní

TSM900N06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N06CP ROG

diel: 253

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 6A, 10V,

Zoznam želaní

TSM042N03CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM042N03CS RLG

diel: 256

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 12A, 10V,

Zoznam želaní

TSM2N7000KCT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N7000KCT A3G

diel: 196

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 300mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 10V,

Zoznam želaní

TSM950N10CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM950N10CW RPG

diel: 278

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N06CP ROG

diel: 291

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 66A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní

TSM061NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM061NA03CR RLG

diel: 287

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 88A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 16A, 10V,

Zoznam želaní

TSM120N06LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120N06LCR RLG

diel: 274

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 54A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

TSM650P03CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650P03CX RFG

diel: 319

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.1A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

Zoznam želaní

TSM60NB190CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB190CZ C0G

diel: 315

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6A, 10V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB60CH X0G

diel: 210

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Zoznam želaní

TSM033NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM033NA03CR RLG

diel: 257

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 129A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 21A, 10V,

Zoznam želaní

TSM061NA03CV RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM061NA03CV RGG

diel: 261

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 66A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 16A, 10V,

Zoznam želaní

TSM680P06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM680P06CP ROG

diel: 207

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V,

Zoznam želaní

TSM900N10CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N10CP ROG

diel: 212

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní

TSM170N06PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06PQ56 RLG

diel: 244

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 44A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní

TSM80N1R2CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N1R2CP ROG

diel: 253

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V,

Zoznam želaní

TSM650N15CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650N15CR RLG

diel: 310

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

Zoznam želaní

TSM60NB600CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB600CP ROG

diel: 324

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Zoznam želaní

TSM60NB1R4CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB1R4CP ROG

diel: 249

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 10V,

Zoznam želaní

TSM120N06LCP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120N06LCP ROG

diel: 275

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

TSM160N10LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160N10LCR RLG

diel: 271

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 46A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM05N03CW RPG

diel: 318

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V,

Zoznam želaní

TSM160P02CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160P02CS RLG

diel: 296

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 1.8V, 4.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 6A, 4.5V,

Zoznam želaní

TSM020N04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM020N04LCR RLG

diel: 234

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 170A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 27A, 10V,

Zoznam želaní

TSM150P03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM150P03PQ33 RGG

diel: 257

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 36A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní

TSM060N03CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM060N03CP ROG

diel: 284

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

TSM170N06CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06CH C5G

diel: 335

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 38A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N100CP ROG

diel: 410

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.85A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 900mA, 10V,

Zoznam želaní

TSM70N380CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N380CH C5G

diel: 360

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.3A, 10V,

Zoznam želaní

276

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»