Snímacia vzdialenosť: 0.028" (0.7mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 35V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.028" (0.7mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 35V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímacia vzdialenosť: 0.217" (5.5mm), Metóda snímania: Reflective, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 35V, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Prúd - dopredu DC (ak) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,