Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
NP110N03PUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP110N03PUG-E1-AY

diel: 1145

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 110A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 55A, 10V,

Zoznam želaní
RJK0653DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0653DPB-00#J5

diel: 1199

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 45A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 22.5A, 10V,

Zoznam želaní
RJK03C1DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK03C1DPB-00#J5

diel: 1209

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NP88N03KDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP88N03KDG-E1-AY

diel: 6153

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 88A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 44A, 10V,

Zoznam želaní
NP80N04KHE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP80N04KHE-E1-AY

diel: 1198

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

Zoznam želaní
NP60N055KUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP60N055KUG-E1-AY

diel: 1211

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
NP90N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP90N04MUG-S18-AY

diel: 1167

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 90A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 45A, 10V,

Zoznam želaní
NP60N04KUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP60N04KUG-E1-AY

diel: 1130

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
RJK1053DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK1053DPB-00#J5

diel: 71554

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 25A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 12.5A, 10V,

Zoznam želaní
RJK2055DPA-00#J0
Renesas Electronics America

RJK2055DPA-00#J0

diel: 1210

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
NP70N10KUF-E1-AY
Renesas Electronics America

NP70N10KUF-E1-AY

diel: 1168

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 35A, 10V,

Zoznam želaní
RJK0853DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0853DPB-00#J5

diel: 1177

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
NP50P06KDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP50P06KDG-E1-AY

diel: 1147

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

Zoznam želaní
RJK1555DPA-00#J0
Renesas Electronics America

RJK1555DPA-00#J0

diel: 49285

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 25A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 12.5A, 10V,

Zoznam želaní
RJK0454DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0454DPB-00#J5

diel: 1212

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
RJK1051DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK1051DPB-00#J5

diel: 125151

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V,

Zoznam želaní
NP50P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP50P04SDG-E1-AY

diel: 1139

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 25A, 10V,

Zoznam želaní
RJK6025DPD-00#J2
Renesas Electronics America

RJK6025DPD-00#J2

diel: 1229

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 17.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Zoznam želaní
RJK0452DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0452DPB-00#J5

diel: 1162

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 45A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 22.5A, 10V,

Zoznam želaní
NP82N055PUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP82N055PUG-E1-AY

diel: 1198

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 82A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 41A, 10V,

Zoznam želaní
NP160N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N04TUG-E1-AY

diel: 1143

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 160A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
RJK0328DPB-01#J0
Renesas Electronics America

RJK0328DPB-01#J0

diel: 97122

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2170H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2170H-EL-E

diel: 898

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 45A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 22.5A, 10V,

Zoznam želaní
RJK0332DPB-01#J0
Renesas Electronics America

RJK0332DPB-01#J0

diel: 132123

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 17.5A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2172H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2172H-EL-E

diel: 6109

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
HAT1072H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT1072H-EL-E

diel: 938

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
RJK0330DPB-01#J0
Renesas Electronics America

RJK0330DPB-01#J0

diel: 121952

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 45A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 22.5A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2141H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2141H-EL-E

diel: 641

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2197R-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2197R-EL-E

diel: 322

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 16A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 8A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2175H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2175H-EL-E

diel: 347

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 8V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 7.5A, 10V,

Zoznam želaní
HAF1002-90STL-E
Renesas Electronics America

HAF1002-90STL-E

diel: 275

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.5A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2143H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2143H-EL-E

diel: 220

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2267H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2267H-EL-E

diel: 228

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 25A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 6V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12.5A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2140H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2140H-EL-E

diel: 220

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 25A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12.5A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2174H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2174H-EL-E

diel: 297

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 8V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 10V,

Zoznam želaní
HAT2171H-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2171H-EL-E

diel: 50897

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní