Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

IXFN230N10

diel: 1730

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 230A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFX230N20T

diel: 3383

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 230A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V,

IXTA08N100D2

diel: 35779

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 800mA (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 21 Ohm @ 400mA, 0V,

IXTP10P50P

diel: 12642

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V,

IXFE39N90

diel: 1414

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 34A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19.5A, 10V,

IXFX120N65X2

diel: 3684

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 60A, 10V,

IXFN180N10

diel: 2592

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 180A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP160N10T

diel: 19504

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 160A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

IXFN36N110P

diel: 1531

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 36A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTA06N120P

diel: 21301

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 600mA (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 300mA, 10V,

IXFH1799

diel: 2227

IXFK80N10Q

diel: 2256

IXTM67N10

diel: 2300

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 67A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 33.5A, 10V,

IXFJ40N30Q

diel: 2205

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 20A, 10V,

IXTM40N30

diel: 2335

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 20A, 10V,

IXTM1712

diel: 2366

IXFE44N50QD3

diel: 2166

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 39A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

IXTM11N80

diel: 2346

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 5.5A, 10V,

IXFD28N50Q-72

diel: 2251

IXFX52N30Q

diel: 2198

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 52A (Tc),

IXFX20N80Q

diel: 2219

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 10A, 10V,

IXTD3N60P-2J

diel: 2349

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V,

IXFM35N30

diel: 2294

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17.5A, 10V,

IXTD3N50P-2J

diel: 2316

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.5A, 10V,

IXFH16N120P

diel: 4492

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 16A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 8A, 10V,

IXFE80N50

diel: 1881

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 72A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 10V,

IXFX60N25Q

diel: 2184

IXTN120P20T

diel: 2005

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 106A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 60A, 10V,

IXFR15N100Q

diel: 2254

IXFD26N60Q-8XQ

diel: 2249

IXFC24N50Q

diel: 2231

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 21A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 10.5A, 10V,

IXFT1874 TR

diel: 2227

IXFD24N50Q-72

diel: 2184

IXFN80N50Q2

diel: 2044

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 72A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFX240N25X3

diel: 7475

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 240A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 120A, 10V,

IXTD2N60P-1J

diel: 2371

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1A, 10V,