Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
IPZ40N04S55R4ATMA1
Infineon Technologies

IPZ40N04S55R4ATMA1

diel: 115953

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 7V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V,

Zoznam želaní
SPP80N06S2L-11
Infineon Technologies

SPP80N06S2L-11

diel: 254

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Zoznam želaní
SPD08P06P
Infineon Technologies

SPD08P06P

diel: 6070

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8.83A (Ta), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V,

Zoznam želaní
IPD20N03L
Infineon Technologies

IPD20N03L

diel: 144

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SPP100N04S2L-03
Infineon Technologies

SPP100N04S2L-03

diel: 254

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
SPB10N10 G
Infineon Technologies

SPB10N10 G

diel: 204

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V,

Zoznam želaní
SPP80N04S2L-03
Infineon Technologies

SPP80N04S2L-03

diel: 241

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
IPP100N06S3-03
Infineon Technologies

IPP100N06S3-03

diel: 189

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
SPU30P06P
Infineon Technologies

SPU30P06P

diel: 246

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 21.5A, 10V,

Zoznam želaní
SPD26N06S2L-35
Infineon Technologies

SPD26N06S2L-35

diel: 254

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 13A, 10V,

Zoznam želaní
IRF6611TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6611TR1PBF

diel: 96

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 32A (Ta), 150A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 27A, 10V,

Zoznam želaní
SPB12N50C3ATMA1
Infineon Technologies

SPB12N50C3ATMA1

diel: 241

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 560V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11.6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Zoznam želaní
IPD20N03L G
Infineon Technologies

IPD20N03L G

diel: 189

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 15A, 10V,

Zoznam želaní
SPB70N10L
Infineon Technologies

SPB70N10L

diel: 157

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V,

Zoznam želaní
IRFS3207ZPBF
Infineon Technologies

IRFS3207ZPBF

diel: 22664

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V,

Zoznam želaní
SPB80N06S2L-07
Infineon Technologies

SPB80N06S2L-07

diel: 265

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

Zoznam želaní
IPP06CN10N G
Infineon Technologies

IPP06CN10N G

diel: 186

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Zoznam želaní
IPI80N06S3L-05
Infineon Technologies

IPI80N06S3L-05

diel: 129

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 69A, 10V,

Zoznam želaní
IPB06N03LB
Infineon Technologies

IPB06N03LB

diel: 137

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V,

Zoznam želaní
IRF6628TRPBF
Infineon Technologies

IRF6628TRPBF

diel: 147

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 27A (Ta), 160A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 27A, 10V,

Zoznam želaní
SPB160N04S2L03DTMA1
Infineon Technologies

SPB160N04S2L03DTMA1

diel: 128

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 160A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
SPP24N60C3HKSA1
Infineon Technologies

SPP24N60C3HKSA1

diel: 237

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15.4A, 10V,

Zoznam želaní
IPP065N06LGAKSA1
Infineon Technologies

IPP065N06LGAKSA1

diel: 146

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
SPD30N06S2L-13
Infineon Technologies

SPD30N06S2L-13

diel: 248

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
SPB11N60S5ATMA1
Infineon Technologies

SPB11N60S5ATMA1

diel: 297

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Zoznam želaní
SPB04N50C3ATMA1
Infineon Technologies

SPB04N50C3ATMA1

diel: 100790

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 560V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4.5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

Zoznam želaní
IPS09N03LB G
Infineon Technologies

IPS09N03LB G

diel: 154

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,

Zoznam želaní
SPB35N10 G
Infineon Technologies

SPB35N10 G

diel: 5636

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 26.4A, 10V,

Zoznam želaní
SPP80N03S2L04AKSA1
Infineon Technologies

SPP80N03S2L04AKSA1

diel: 271

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 80A, 10V,

Zoznam želaní
IPSH6N03LB G
Infineon Technologies

IPSH6N03LB G

diel: 216

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V,

Zoznam želaní
IPB04N03LB
Infineon Technologies

IPB04N03LB

diel: 172

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 55A, 10V,

Zoznam želaní
IRFPS3810PBF
Infineon Technologies

IRFPS3810PBF

diel: 7201

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 170A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 100A, 10V,

Zoznam želaní
IRF6612TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6612TR1PBF

diel: 147

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24A (Ta), 136A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 24A, 10V,

Zoznam želaní
IPF10N03LA G
Infineon Technologies

IPF10N03LA G

diel: 6084

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V,

Zoznam želaní
IPFH6N03LA G
Infineon Technologies

IPFH6N03LA G

diel: 149

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

Zoznam želaní
SPP80N06S2-08
Infineon Technologies

SPP80N06S2-08

diel: 297

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 80A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

Zoznam želaní