Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,