Typ diódy: Single Phase, Technológie: Silicon Carbide Schottky, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 10A, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 600V,
Typ diódy: Single Phase, Technológie: Silicon Carbide Schottky, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.2kV, Current - Average Rectified (Io): 45A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 45A, Prúd - spätný únik @ Vr: 300µA @ 1200V,
Typ diódy: Single Phase, Technológie: Silicon Carbide Schottky, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.2kV, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 15A, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 1200V,
Typ diódy: Single Phase, Technológie: Silicon Carbide Schottky, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 20A, Prúd - spätný únik @ Vr: 200µA @ 600V,
Typ diódy: Single Phase, Technológie: Silicon Carbide Schottky, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 30A, Prúd - spätný únik @ Vr: 100µA @ 600V,
Typ diódy: Single Phase, Technológie: Silicon Carbide Schottky, Napätie - špičkový spätný chod (max.): 1.2kV, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 30A, Prúd - spätný únik @ Vr: 200µA @ 1200V,
