Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednotliv&e

PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.

PDTB114ETR

diel: 192410

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Na priania
DDTC143XE-7
Diodes Incorporated

DDTC143XE-7

diel: 197990

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na priania
DDTA123TKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123TKA-7-F

diel: 1915

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na priania
DDTA144TKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA144TKA-7-F

diel: 1944

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na priania
DDTD123YU-7-F
Diodes Incorporated

DDTD123YU-7-F

diel: 159098

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Na priania
DDTA123ECA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123ECA-7-F

diel: 167434

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Na priania
DDTC124GKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC124GKA-7-F

diel: 1901

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Na priania
DDTD142JU-7-F
Diodes Incorporated

DDTD142JU-7-F

diel: 100187

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 470 Ohms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Na priania
DDTC142JE-7-F
Diodes Incorporated

DDTC142JE-7-F

diel: 125307

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 470 Ohms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Na priania
DDTC143XKA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC143XKA-7-F

diel: 1911

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na priania
SMUN2230T1G
ON Semiconductor

SMUN2230T1G

diel: 178747

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Na priania
FJV3115RMTF
ON Semiconductor

FJV3115RMTF

diel: 170458

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Na priania
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143EF3T5G

diel: 150999

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Na priania
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114TF3T5G

diel: 143954

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na priania
PDTC123ES,126
NXP USA Inc.

PDTC123ES,126

diel: 1997

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Na priania
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.

PDTB113ES,126

diel: 1965

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Na priania
PDTC124ES,126
NXP USA Inc.

PDTC124ES,126

diel: 1970

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Na priania
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.

PDTA114TE,115

diel: 1980

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Na priania
DTC143XCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC143XCAHZGT116

diel: 16286

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased + Diode, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na priania
DTC015EEBTL
Rohm Semiconductor

DTC015EEBTL

diel: 107532

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 20mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na priania
DTB114GKT146
Rohm Semiconductor

DTB114GKT146

diel: 168234

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Na priania
DTC143XUAT106
Rohm Semiconductor

DTC143XUAT106

diel: 114463

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na priania
DTA143ZKAT146
Rohm Semiconductor

DTA143ZKAT146

diel: 123299

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Na priania
DTC144VKAT146
Rohm Semiconductor

DTC144VKAT146

diel: 164888

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Na priania
UNR321000L
Panasonic Electronic Components

UNR321000L

diel: 108084

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR511600L
Panasonic Electronic Components

UNR511600L

diel: 122493

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR9219G0L
Panasonic Electronic Components

UNR9219G0L

diel: 136285

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR911BG0L
Panasonic Electronic Components

UNR911BG0L

diel: 2166

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR92A8G0L
Panasonic Electronic Components

UNR92A8G0L

diel: 1977

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 510 Ohms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 5.1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR9112G0L
Panasonic Electronic Components

UNR9112G0L

diel: 1944

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR511VG0L
Panasonic Electronic Components

UNR511VG0L

diel: 1962

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR9110G0L
Panasonic Electronic Components

UNR9110G0L

diel: 141689

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na priania
RN2315TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

diel: 100188

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Na priania
RN1112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

diel: 1954

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Na priania
RN2101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

diel: 1987

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 80mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na priania
RN1105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

diel: 1976

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 50mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 20V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Na priania