Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednotliv&e

DRA9113Z0L
Panasonic Electronic Components

DRA9113Z0L

diel: 179507

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR411800A
Panasonic Electronic Components

UNR411800A

diel: 2223

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 510 Ohms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 5.1 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Na priania
UNR221400L
Panasonic Electronic Components

UNR221400L

diel: 2185

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na priania
DRA2114T0L
Panasonic Electronic Components

DRA2114T0L

diel: 184240

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na priania
DRA9144W0L
Panasonic Electronic Components

DRA9144W0L

diel: 130820

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Na priania
DRA3144V0L
Panasonic Electronic Components

DRA3144V0L

diel: 116159

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Na priania
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

diel: 165156

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na priania
RN2111MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

diel: 146

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Na priania
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

diel: 2124

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Na priania
NSBA123JF3T5G
ON Semiconductor

NSBA123JF3T5G

diel: 132842

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na priania
DTA144TM3T5G
ON Semiconductor

DTA144TM3T5G

diel: 151038

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Na priania
NSBA123EF3T5G
ON Semiconductor

NSBA123EF3T5G

diel: 194582

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Na priania
DTA114YET1
ON Semiconductor

DTA114YET1

diel: 2214

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na priania
FJN4308RBU
ON Semiconductor

FJN4308RBU

diel: 2246

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Na priania
NSVMUN5131T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5131T1G

diel: 176865

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Na priania
FJN3304RTA
ON Semiconductor

FJN3304RTA

diel: 2280

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na priania
FJNS4211RTA
ON Semiconductor

FJNS4211RTA

diel: 2283

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 40V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na priania
FJNS4210RBU
ON Semiconductor

FJNS4210RBU

diel: 2290

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 40V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na priania
NSBA124XF3T5G
ON Semiconductor

NSBA124XF3T5G

diel: 157846

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na priania
FJNS3213RTA
ON Semiconductor

FJNS3213RTA

diel: 2240

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na priania
MUN5214T1
ON Semiconductor

MUN5214T1

diel: 2199

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na priania
FJN3307RBU
ON Semiconductor

FJN3307RBU

diel: 2295

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na priania
MUN5236T1
ON Semiconductor

MUN5236T1

diel: 2233

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na priania
FJN4307RTA
ON Semiconductor

FJN4307RTA

diel: 2267

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na priania
MMUN2241LT1G
ON Semiconductor

MMUN2241LT1G

diel: 3231

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na priania
FJN4310RTA
ON Semiconductor

FJN4310RTA

diel: 2217

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 40V, Rezistor - pätica (R1): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na priania
MMUN2213LT1
ON Semiconductor

MMUN2213LT1

diel: 2255

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 47 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na priania
DDTA113ZE-7-F
Diodes Incorporated

DDTA113ZE-7-F

diel: 137522

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Na priania
DDTC123YUA-7
Diodes Incorporated

DDTC123YUA-7

diel: 2151

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Na priania
DDTA113ZUA-7
Diodes Incorporated

DDTA113ZUA-7

diel: 2167

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Na priania
DDTB143TC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB143TC-7-F

diel: 157201

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 4.7 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Na priania
DDTA115ECA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA115ECA-7-F

diel: 3291

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 100 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 100 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Na priania
DDTC123TE-7
Diodes Incorporated

DDTC123TE-7

diel: 2133

Typ tranzistora: NPN - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 2.2 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na priania
PDTB113ZQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB113ZQAZ

diel: 190452

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 500mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 1 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 10 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Na priania
PDTA124TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA124TM,315

diel: 146713

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na priania
PDTA144WE,115
NXP USA Inc.

PDTA144WE,115

diel: 2206

Typ tranzistora: PNP - Pre-Biased, Prúd - zberač (Ic) (max.): 100mA, Napätie - porucha emitenta kolektora (max.): 50V, Rezistor - pätica (R1): 47 kOhms, Rezistor - základňa vysielača (R2): 22 kOhms, DC prúdový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Na priania