Diódy - Usmerňovače - Pole | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

MBRD660CTG

diel: 81424

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 3A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 700mV @ 3A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

diel: 69

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 4A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.05V @ 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

diel: 1564

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 150A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 920mV @ 150A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

diel: 1548

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 200A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 880mV @ 200A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

diel: 1563

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 150A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 880mV @ 150A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

diel: 1533

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 200A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 840mV @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

diel: 1212

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 80V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 400A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 840mV @ 200A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

diel: 1519

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 200A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

diel: 3870

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 45V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 50A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 700mV @ 50A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

diel: 1156

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 45V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 400A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 200A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

diel: 3030

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 100A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 920mV @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

diel: 1552

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 100A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 880mV @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

diel: 1213

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 200A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

diel: 972

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 300A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 880mV @ 300A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

diel: 1324

Konfigurácia diódy: 1 Pair Series Connection, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1400V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 200A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.1V @ 200A, Rýchlosť: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

diel: 1192

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Schottky, Reverse Polarity, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 100V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 500A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 880mV @ 250A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

diel: 3096

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 120V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 100A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 880mV @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

diel: 1844

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 35V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 120A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 750mV @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

diel: 1342

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 300A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

diel: 1491

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 30V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 120A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 650mV @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

GeneSiC Semiconductor

FST160150

diel: 1636

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 150V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 80A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 880mV @ 80A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

diel: 100592

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 120V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 970mV @ 15A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

diel: 109388

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 650mV @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

diel: 128134

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 730mV @ 15A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

diel: 102836

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 45V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 580mV @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

diel: 67167

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 620mV @ 20A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

diel: 116952

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 680mV @ 20A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

diel: 121490

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 60V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 730mV @ 15A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

diel: 47709

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 45V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 640mV @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

diel: 159782

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 120V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.01V @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

diel: 58911

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 120V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 880mV @ 20A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

diel: 40301

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 920mV @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

diel: 120106

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 90V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 5A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 850mV @ 5A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

diel: 157

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.25V @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

diel: 152

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.23V @ 20A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

diel: 3747

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 10A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.7V @ 10A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania