Diódy - Usmerňovače - Pole | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

APT2X101S20J

diel: 2725

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 120A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 950mV @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

diel: 20940

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 15A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.4V @ 15A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

diel: 1426

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 20A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

diel: 11515

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.4V @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

diel: 1510

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 20A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

diel: 4471

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT30D100BCAG

diel: 4419

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Anode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 18A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.3V @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

diel: 7652

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 650V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 17A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

diel: 647

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 60A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

diel: 910

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 40A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 40A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

diel: 4083

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 40A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 40A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

diel: 4104

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 30A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

diel: 4162

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 30A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

diel: 1523

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 20A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

diel: 4122

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 90A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 90A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

diel: 3952

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 36A (DC), Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 10A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

diel: 2369

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 150A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.6V @ 150A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

diel: 952

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 40A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 40A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

diel: 777

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Silicon Carbide Schottky, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 50A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.8V @ 50A, Rýchlosť: No Recovery Time > 500mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

diel: 3868

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 3.3V @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

diel: 3871

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 8A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.4V @ 8A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

diel: 3895

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

diel: 3885

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

diel: 4438

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 40A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 3.3V @ 40A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

diel: 3858

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 40A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 3V @ 40A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

diel: 6132

Konfigurácia diódy: 1 Pair Series Connection, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 20A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 4V @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

diel: 3860

Konfigurácia diódy: 1 Pair Common Cathode, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 1000V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 3V @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

diel: 4074

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 600V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 2.3V @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

diel: 3544

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.5V @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

diel: 3886

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 200V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 60A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.3V @ 60A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

diel: 4128

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.5V @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

diel: 4064

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 30A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 30A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

diel: 3857

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 300V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 100A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.4V @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

diel: 2926

Konfigurácia diódy: 2 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 400V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 100A, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1.5V @ 100A, Rýchlosť: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na priania

Comchip Technology

ACDSV6-4448TI-G

diel: 143494

Konfigurácia diódy: 3 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 80V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 100mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA, Rýchlosť: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Na priania

Comchip Technology

ACDST6-4448TI-G

diel: 4514

Konfigurácia diódy: 3 Independent, Typ diódy: Standard, Napätie - jednosmerný reverzný (Vr) (max.): 75V, Prúd - priemerný usmernený (Io) (na diódu): 100mA, Napätie - dopredu (Vf) (max.) @ Ak: 1V @ 100mA, Rýchlosť: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Na priania