Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

2N7227

diel: 1694

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 315 mOhm @ 9A, 10V,

2N7225

diel: 1611

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 27.4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17A, 10V,

2N7224U

diel: 1683

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 34A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 81 mOhm @ 34A, 10V,

2N7224

diel: 1652

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 34A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 21A, 10V,

2N6901

diel: 1637

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1.69A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 1.07A, 5V,

2N7236

diel: 1547

Typ FET: P-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 18A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,

2SK2035(T5L,F,T)

diel: 1665

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SK1829TE85LF

diel: 1614

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 50mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 40 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SK3309(TE24L,Q)

diel: 1621

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

2SK2967(F)

diel: 6205

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V,

2SK3385(0)-Z-E1-AZ

diel: 1571

2SK4151TZ-E

diel: 1558

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 500mA, 4V,

2SK4093TZ-E

diel: 1571

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 1A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 4V,

2SK4150TZ-E

diel: 1515

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 400mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 2.5V, 4V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.7 Ohm @ 200mA, 4V,

2SK2225-E

diel: 6158

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 15V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 1A, 15V,

2SK1342-E

diel: 1570

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

2SK1775-E

diel: 1594

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

2SK1340-E

diel: 1567

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 3A, 10V,

2SK1341-E

diel: 1594

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 3A, 10V,

2SK1339-E

diel: 1582

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1.5A, 10V,

2SK302200L

diel: 1551

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V,

2SK326800L

diel: 1465

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 12A, 10V,

2SK303000L

diel: 84713

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 4A, 10V,

2SK302500L

diel: 40869

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

2N7002-E3

diel: 1534

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 115mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002-D87Z

diel: 1492

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 115mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2SK4198FS

diel: 5624

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.34 Ohm @ 2.5A, 10V,

2SK4197FS

diel: 1470

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.25 Ohm @ 1.8A, 10V,

2SK536-TB-E

diel: 129781

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 10V,

2N7639-GA

diel: 318

Technológie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 15A (Tc) (155°C), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 15A,

2N7638-GA

diel: 339

Technológie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Tc) (158°C), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 8A,

2N7637-GA

diel: 369

Technológie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc) (165°C), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7A,

2N7636-GA

diel: 431

Technológie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc) (165°C), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A,

2N7635-GA

diel: 376

Technológie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc) (165°C), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A,

2N7002-G

diel: 134471

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 115mA (Tj), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002-HF

diel: 175303

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 250mA (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,