Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

AOD2C60

diel: 1810

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 2A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 500mA, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4292

diel: 1781

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 8A (Ta), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF10T60P

diel: 1807

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF11C60

diel: 1854

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 11A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW10T60P

diel: 1824

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF12T50P

diel: 120008

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10T60PL

diel: 1856

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI530

diel: 1803

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Ta), 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI4C60

diel: 1849

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.3A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD9N50

diel: 71829

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 9A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 860 mOhm @ 4.5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD240

diel: 126873

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Ta), 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4130

diel: 147508

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6.5A (Ta), 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD508

diel: 136436

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 22A (Ta), 70A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD256

diel: 160196

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 3A (Ta), 19A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10T60

diel: 1741

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD7S60

diel: 105680

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD7S65

diel: 113840

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB12N60FDL

diel: 80037

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 12A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT10T60L

diel: 1670

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 10A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Na priania

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6544

diel: 1708

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 60A (Ta), 85A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

AUIRF3205Z

diel: 26178

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

Na priania

Infineon Technologies

AUIRFZ24NS

diel: 94454

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APTML50UM90R020T1AG

diel: 1625

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 52A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APTM120DA30CT1G

diel: 1333

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 31A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APTML20UM18R010T1AG

diel: 1604

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 109A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT14M100S

diel: 8207

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 14A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 880 mOhm @ 7A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT18M80S

diel: 1606

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 19A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 9A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT12057JLL

diel: 1638

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 19A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT53N60SC6

diel: 1604

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 53A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT12067JLL

diel: 1582

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 17A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APTM100DA18CT1G

diel: 6180

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APTC60DAM24CT1G

diel: 1620

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 95A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

diel: 1078

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 59A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT33N90JCCU3

diel: 1668

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT33N90JCCU2

diel: 2047

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT20M120JCU3

diel: 2243

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 20A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Na priania