Menu
SlovenskáSlovenská
RFQ / COUNT
0RFQ / COUNT

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

BUK7C1R8-60EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R8-60EJ

diel: 6258

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,

Na priania
BUK7C1R4-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R4-40EJ

diel: 2529

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,

Na priania
BUK7C1R2-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R2-40EJ

diel: 2518

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,

Na priania
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y9R9-80E,115

diel: 2547

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,

Na priania
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y98-80E,115

diel: 2588

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,

Na priania
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y7R8-80E,115

diel: 2582

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,

Na priania
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R8-40E,127

diel: 2573

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E8R5-40E,127

diel: 6339

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK9E6R1-100E,127

diel: 2510

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R9-60E,127

diel: 2556

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R4-80E,127

diel: 2545

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R7-60E,127

diel: 2588

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R8-60E,127

diel: 2547

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40E,127

diel: 2570

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R9-40E,127

diel: 2502

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,

Na priania
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R3-40E,127

diel: 2570

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R6-30E,127

diel: 2576

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E15-60E,127

diel: 2588

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 54A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Na priania
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK956R1-100E,127

diel: 6333

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK958R5-40E,127

diel: 2510

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK954R4-80E,127

diel: 2512

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK952R8-60E,127

diel: 2572

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK952R3-40E,127

diel: 6262

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK951R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK951R9-40E,127

diel: 2587

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK951R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK951R6-30E,127

diel: 6281

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.

BUK7E4R0-80E,127

diel: 2546

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK9515-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9515-60E,127

diel: 2529

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 54A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Na priania
BUK7E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK7E1R6-30E,127

diel: 6300

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK753R5-60E,127
NXP USA Inc.

BUK753R5-60E,127

diel: 2561

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK751R6-30E,127

diel: 6316

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK7Y08-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y08-40B/C,115

diel: 2544

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK7Y25-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y25-40B/C,115

diel: 2544

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 35.3A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania
BUK655R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK655R0-75C,127

diel: 2509

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.

BUK654R6-55C,127

diel: 2550

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.

BUK653R7-30C,127

diel: 2483

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 100A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK654R0-75C,127

diel: 2520

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 120A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 4.5V, 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Na priania