Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétne polovodičové výrobk | 100

APT7F80K

diel: 366

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 7A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 4A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT8014JLL

diel: 369

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 42A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 21A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT6M100K

diel: 416

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 6A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT75M50B2

diel: 5052

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 75A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT60M80JVR

diel: 373

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 55A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT60M80L2VRG

diel: 2032

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 65A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 32.5A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT60M75JVFR

diel: 394

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 62A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 31A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT60M75L2LLG

diel: 1781

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 73A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT5F100K

diel: 412

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 3A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT58M50J

diel: 2293

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 58A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT55M65JFLL

diel: 338

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 63A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 31.5A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT55M50JFLL

diel: 379

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 77A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 38.5A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT5510JFLL

diel: 6039

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 44A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT5016BFLLG

diel: 6194

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT5018BLLG

diel: 366

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 27A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 13.5A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT4M120K

diel: 398

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 5A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT4F120K

diel: 409

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 4A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 2A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT45M100J

diel: 1471

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 45A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 33A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT41M80L

diel: 4379

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 43A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 20A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT40M70JVFR

diel: 385

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 53A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 26.5A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT40M70LVFRG

diel: 350

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 57A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT34F60BG

diel: 5675

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 34A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT40M35JVFR

diel: 357

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 93A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 46.5A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT32M80J

diel: 2341

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 33A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 24A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT31N80JC3

diel: 403

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 31A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT31M100B2

diel: 4176

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 32A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 16A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT31N60BCSG

diel: 325

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 31A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT30M85SVFRG

diel: 386

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT30M85BVFRG

diel: 318

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 40A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT30M70SVRG

diel: 372

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 48A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT30M40B2VFRG

diel: 318

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 76A (Tc), Rds On (max.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT29F100L

diel: 3918

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 30A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 16A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT26F120L

diel: 2571

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 27A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT23F60B

diel: 13424

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 24A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT22F120B2

diel: 3405

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

Na priania

Microsemi Corporation

APT22F120L

diel: 3400

Typ FET: N-Channel, Technológie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Prúd - nepretržitý odtok (Id) pri 25 ° C: 23A (Tc), Napätie pohonu (max. Zapnuté Rds, zapnuté minimálne Rds): 10V, Rds On (max.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

Na priania